[发明专利]半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 01143922.X 申请日: 2001-12-26
公开(公告)号: CN1362743A 公开(公告)日: 2002-08-07
发明(设计)人: 亀山敦;布施常明;吉田雅子;大内和则 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;H01L21/70
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一个集成电路具有一个第一和第二逻辑电路,上述逻辑电路具有共同的输入端子和相同的逻辑功能。第一逻辑电路具有一个pMISFET电路模块和一个nMISFET电路模块,其中每个电路模块均具有一个高阈值,而第二逻辑电路具有一个pMISFET电路模块和一个nMISFET电路模块,其中每个电路模块均具有一个低阈值。一个输出开关电路介于各个逻辑电路中的pMISFET和nMISFET电路模块之间并且控制电源与各个逻辑电路的连接。当工作时,第二逻辑电路的输出被连接到输出端子以实现低功耗。当处于后备状态时,第一逻辑电路的输出被连接到输出端子以实现低泄漏电流。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一个半导体集成电路,其中包括:一个第一逻辑电路,上述第一逻辑电路具有一个第一输入端子并且包括一个逻辑模块,上述逻辑模块实质上在一个具有电压V1的第一电源和一个基准电压之间串联由一个具有阈值电压Vtp1的pMISFET构成的第一pMIS逻辑模块和由具有一个阈值电压Vtn1的nMISFET构成的第一nMIS反转逻辑模块;一个第二逻辑电路,上述第二逻辑电路具有一个第二输入端子,这个第二输入端子被连接到上述第一输入端子并且具有与上述第一逻辑电路相同的逻辑功能,上述第二逻辑电路还包括一个逻辑模块,这个逻辑模块实质上在一个具有电压V2(V2<V1)的第二电源和上述基准电压之间串联由一个具有阈值电压Vtp2(Vtp2<Vtp1)的pMISFET构成的第二pMIS逻辑模块和由一个具有阈值电压Vtn2(Vtn2<Vtn1)的nMISFET构成的第二nMIS反转逻辑模块;和一个介于上述第一逻辑电路中的上述第一pMIS模块和上述第一nMIS模块之间以及上述第二逻辑电路中的上述第二pMIS模块和上述第二nMIS模块之间的输出开关电路,并且上述输出开关电路具有一个输入控制信号的控制信号端子和一个根据上述控制信号在上述第一逻辑电路的输出和上述第二逻辑电路的输出之间切换的输出端子。
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