[发明专利]薄膜和薄膜的制造方法以及薄膜用粘合剂有效
| 申请号： | 01144607.2 | 申请日： | 2001-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1361449A | 公开（公告）日： | 2002-07-31 |
| 发明（设计）人： | 仓田洋行;松冈英登 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是为了提供对于短波长的紫外线具有充分耐光性,且具有粘接时不需加热的粘接层的薄膜,薄膜的制造方法和薄膜用粘合剂。本发明的薄膜是具备由氟类聚合物形成的薄膜被膜和支持该薄膜被膜的薄膜框架的薄膜,前述薄膜被膜是通过含有氟类聚合物和紫外线硬化型氟类单体的粘接层粘接于薄膜框架的。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 以及 粘合剂 | ||
【主权项】：
1.含有氟类聚合物和紫外线硬化型氟类单体的粘合剂。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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