[实用新型]高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器无效
| 申请号： | 01275368.8 | 申请日： | 2001-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN2510997Y | 公开（公告）日： | 2002-09-11 |
| 发明（设计）人： | 任晓敏;黄辉;黄永清;王琦 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光,张占榜 |
| 地址： | 100876 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高速、高灵敏度的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的结构。本实用新型其特征在于它通过离子注入造成器件部分电极绝缘,使得导电区域呈现梳状或网孔状的微结构,降低了探测器的固有电容。本实用新型涉及的器件结构解除了RCE光电探测器的光耦合效率与响应速率之间互相制约的矛盾,势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 灵敏度 谐振腔 增强 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1、一种高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器，包括有衬底，其特征在于：电极层呈现梳状或网孔状的微结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
