[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02102043.4 | 申请日： | 2002-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1366347A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 稻叶聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括半导体衬底;栅极电极;源极和漏极扩散层;在上述源极和漏极扩散层之间的上述沟道区上形成的第1导电类型的第1掺杂层;在上述第1掺杂层的下边形成的第2导电类型的第2掺杂层;和在上述第2掺杂层的下边形成的第1导电类型的第3掺杂层,上述第1掺杂层的结深度被设定得与上述源极和漏极扩散层的扩张区域的结深度相同或比之还浅,上述第2掺杂层把杂质浓度和厚度设定为使得归因于上述第1和第3掺杂层之间产生的内建电位而完全耗尽化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底的表面上中间存在着栅极绝缘膜地形成的栅极电极；在上述半导体衬底上被形成为把上述栅极电极正下边的沟道区夹在中间地相向的源极和漏极扩散层[上述源极和漏极扩散层由低电阻区域和被形成为从该低电阻区域向上述沟道区进行扩张的比低电阻区域杂质浓度还低的低杂质浓度且浅的扩张区域构成]；在上述源极和漏极扩散层之间的上述沟道区上形成的第1导电类型的第1掺杂层；在上述第1掺杂层的下边形成的第2导电类型的第2掺杂层；和在上述第2掺杂层的下边形成的第1导电类型的第3掺杂层，其特征在于：上述第1掺杂层，其结深度被设定得与上述源极和漏极扩散层的扩张区域的结深度相同或比之还浅，上述第2掺杂层，把杂质浓度和厚度设定为使得归因于上述第1和第3掺杂层之间产生的内建电位而完全耗尽化。
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