[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法无效
| 申请号： | 02105984.5 | 申请日： | 2002-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1380685A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 岩井哲博;古川良太 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置和使用该装置的等离子体处理方法,在气体供给过程中,在开闭气体供给路径的气体开关阀打开之前,由主控制部将流量设定指令信号设定为零流量,并向质量流量控制器输出,在气体开关阀为打开状态后,把流量设定指令信号设定为规定流量并输出,从而,能够解决在气体流入的初始状态,等离子体产生用气体一时供给过剩的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，可对处理对象物进行等离子体处理，其特征在于：具有：(A)收放所述处理对象物并进行等离子体处理的处理室；(B)对该处理室内进行抽真空的抽真空装置；(C)通过气体供给路径向处理室内供给等离子体产生用气体的气体导入装置；所述气体导入装置具有：(c1)开闭等离子体产生用气体供给源的气体供给路径的气体开关阀；(c2)在所述气体供给路径中，检测等离子体产生用气体的流量的流量检测部；(c3)设在气体供给路径中，并可调整开度的流量控制阀；(c4)基于指定向处理室内供给等离子体产生用气体流量的流量设定指令信号和所述流量检测部的流量检测结果，控制所述流量控制阀开度的反馈控制部；(D)输出所述流量设定指令信号，同时控制所述气体开关阀开闭的主控制部；(E)在处理室内产生等离子体的等离子体发生装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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