[发明专利]半导体存储器有效
申请号: | 02106179.3 | 申请日: | 2002-04-08 |
公开(公告)号: | CN1396600A | 公开(公告)日: | 2003-02-12 |
发明(设计)人: | 北本绫子;松宫正人 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/413;G11C7/00;G11C7/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 于读操作中将位线上的数据放大并输出到存储器外部,数据控制电路将从存储单元读出的所有数据输出到位线上并由读出放大器同时地放大。在写操作中将从外部供给位线的数据放大而写入存储单元内,数据控制电路将外部输入并为读出放大器同时放大的所有数据写入存储单元内。由于为读出放大器同时放大的所有数据都相对外部输入/输出,故可提高输入/输出数据的传输速率和能减少每单位传输数据量的功率消耗。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
1.半导体存储器,它包括:多个存储单元;分别与所述存储单元连接用于传送数据的多个位线;分别与所述位线连接用于放大传送给所述位线的数据的多个读出放大器;以及数据控制电路,它用于将从所述存储单元读出且同时被这些读出放大器放大的所有数据输出到存储器外部,还用于将从外部输入且同时被这些读出放大器放大的所有数据写入所述存储单元。
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