[发明专利]半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件有效
| 申请号： | 02106671.X | 申请日： | 1998-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1397958A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 中山晃庆;石川辉伸;新见秀明;浦原良一;坂部行雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 白益华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 使用 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括：氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02106671.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带槽的长轧辊靴压力皮带
- 下一篇：具有一体式分离装置的盒子
