[发明专利]具有小袋的半导体器件及其制造有效
| 申请号： | 02106726.0 | 申请日： | 2002-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1393935A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 和田一;冈部坚一;渡边孔 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/425 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，它具有确定在硅衬底主表面上的第一和第二有源区、制作在第一有源区中并具有第一延伸区和深于第一延伸区并被第一浓度的铟掺杂的第一小袋区域的第一n沟道MOS晶体管、以及制作在第二有源区中并具有第二延伸区和深于第二延伸区并被低于第一浓度的第二浓度的铟掺杂的第二小袋区域的第二n沟道MOS晶体管。硼离子可以被注入到第二小袋区域中。借助于注入铟离子，能够形成小袋区域，并能够降低铟注入引起的漏电流的增大。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 小袋 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包含：具有主表面的硅衬底；被制作在所述硅衬底主表面中且由隔离区确定的第一和第二有源区；第一n沟道MOS晶体管，它包含制作在所述第一有源区中的具有栅绝缘膜的第一绝缘栅、制作在第一绝缘栅二侧上的所述第一有源区中的第一延伸区、和制作在第一绝缘栅二侧上的所述第一有源区中比第一延伸区更深处的第一小袋区域，此第一小袋区域被第一浓度的铟掺杂；以及第二n沟道MOS晶体管，它包含制作在所述第二有源区中的具有栅绝缘膜的第二绝缘栅、制作在第二绝缘栅二侧上的所述第二有源区中的第二延伸区、和制作在第二绝缘栅二侧上的所述第二有源区中比第二延伸区更深处的第二小袋区域，此第二小袋区域被比第一浓度更低的第二浓度的铟掺杂。
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