[发明专利]埋入式非易失性半导体存储器单元的制造方法有效
| 申请号： | 02107763.0 | 申请日： | 2002-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1369907A | 公开（公告）日： | 2002-09-18 |
| 发明（设计）人： | O·格林格;W·兰格海恩里奇 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种埋入式非易失性半导体存储器单元的制造方法,包括以下步骤在基片(1)上的一个高压区(HVB)、一个存储器区(NSB)和一个逻辑区(LB)内构成一个第一绝缘层(2),除掉所述存储器区(NSB)内的第一绝缘层(2),在所述高压区(HVB)、存储器区(NSB)和逻辑区(LB)内构成一个第二绝缘层(3),在所述存储器区(NSB)内构成和构图一个具有第三绝缘层(6)的电荷存储层(5),除掉所述逻辑区(LB)内的第一至第三绝缘层(2,3,6)以及所述电荷存储层(5),在所述高压区(HVB)、存储器区(NSB)和逻辑区(LB)内构成一个第四绝缘层(7),构成和构图一个导电控制层(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 式非易失性 半导体 存储器 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.埋入式非易失性半导体存储器单元的制造方法，包括以下步骤：a)在基片(1)上的一个高压区(HVB)、一个存储器区(NSB)和一个逻辑区(LB)内构成一个第一绝缘层(2)，b)除掉所述存储器区(NSB)内的第一绝缘层(2)，c)在所述高压区(HVB)、存储器区(NSB)和逻辑区(LB)内构成一个第二绝缘层(3)，d)在所述存储器区(NSB)内构成和构图一个具有第三绝缘层(6)的电荷存储层(5)，e)除掉所述逻辑区(LB)内的第一至第三绝缘层(2，3，6)以及所述电荷存储层(5)，f)在所述高压区(HVB)、存储器区(NSB)和逻辑区(LB)内构成一个第四绝缘层(7)，g)构成和构图一个导电控制层(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
