[发明专利]高耐压半导体器件无效
| 申请号： | 02107779.7 | 申请日： | 2002-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1377093A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 野田正明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的为提供一种即使在高温下的使用导通电阻不会劣化这样的高可靠性高耐压半导体器件。本发明的高耐压半导体器件具有半导体层1;漏极偏置扩散区2;源极扩散区5;漏极扩散区4;埋入到漏极偏置扩散区2内的第一导电型埋入扩散区3;以电浮动状态形成在场绝缘膜7上的至少一个板式电极(15a、16a、17a);形成在位于板式电极(15a、16a、17a)上的层间绝缘膜8上,一部分与漏极扩散区4电气连接,且与板式电极(15a、16a、17a)电容耦合的金属电极14(14－1、14－2、14－3)。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种高耐压半导体器件，其中包括：第一导电型的半导体层；形成在上述第一导电型的半导体层内的第二导电型的漏极偏置(offset)扩散区；从上述漏极偏置扩散区隔离开并且形成在上述第一导电型半导体层内的第二导电型的源极扩散区；形成在上述漏极偏置扩散区内的第二导电型的漏极扩散区；埋入在上述漏极偏置扩散区内，且至少其一部分与上述第一导电型半导体层电气连接的第一导电型埋入扩散区；形成在上述第一导电型半导体层中，位于上述源极扩散区和上述漏极偏置扩散区之间的那一部分上的栅极绝缘膜；形成在上述栅极绝缘膜上的栅极；形成在上述漏极偏置扩散区上的场绝缘膜；至少一个在上述场绝缘膜上以电浮动状态形成的板式电极；形成在上述场绝缘膜以及上述至少一个板式电极上的层间绝缘膜；形成在位于上述至少一个板式电极上的上述层间绝缘膜上，且其一部分与上述漏极扩散区电气连接，且与上述至少一个板式电极电容耦合的金属电极。
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