[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02108311.8 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1393937A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 高田和彦;菅谷慎二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底上形成隧道绝缘膜和构成浮栅下部的第一半导体膜，腐蚀形成器件隔离凹槽，在凹槽中和第一半导体膜上形成器件隔离绝缘膜，从第一半导体膜的上表面去除器件隔离绝缘膜，减薄器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜，选择生长用作浮栅上部的第二半导体膜，并使其在器件隔离绝缘膜上横向延伸，在浮栅上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成用作控制栅的导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：构成浮栅下部的第一半导体膜，所述浮栅经由隧道绝缘膜形成在半导体衬底的器件形成区域上；形成在第一半导体膜、隧道绝缘膜和半导体衬底中的器件隔离凹槽，与器件形成区域邻接；埋置在器件隔离凹槽中的器件隔离绝缘膜；形成在第一半导体膜上的第二半导体膜，作为浮栅的上部，并且具有在横向延伸的延伸部分，以使膜厚度从器件形成区域到器件隔离绝缘膜连续地减薄。形成在第二半导体膜上的绝缘膜；经由绝缘膜形成在浮栅上的控制栅。
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