[发明专利]补偿半导体元件的结电容的温度依存性的电容器制造方法

摘要

一种薄膜电容器的制造方法,是把第一电介质薄膜4和第二电介质薄膜5叠层,得到具有所希望的薄板电容值和电容温度系数的薄膜电容器的制造方法,在使第二电介质薄膜的电容温度系数为τ,所述第二电介质薄膜的介电常数为κ,所述第二电介质薄膜的膜厚度t2为t2={εoτtot/(C/S)}·{1/(τ/κ)}(但是,C/S为薄板电容值,εoτtot为所希望的电容温度系数),主晶粒的(τ/κ)为(τg/κg)的情况下,由所述的主晶粒的晶粒直径的大小,选择{(τ/κ)/(τg/κg)}的值超过1的主晶粒直径区域,决定晶粒直径的目标值,控制所述主晶粒的粒子直径,并使其达到所述目标值,形成所述第二电介质薄膜。能比较容易地实现小型化、薄型化、轻量化,并且能进行温度补偿。

主权项

1.一种薄膜电容器的制造方法，其特征在于：把电容温度系数的绝对值为50ppm/℃以下的所述的第一电介质薄膜和所述电容温度系数为负的第二电介质薄膜叠层，得到具有所希望的薄板电容值和电容温度系数的薄膜电容器；当所述第二电介质薄膜的晶体结构是具有主晶粒和包围该主晶粒的晶界层的主晶粒结构单位的集合体，多个所述主晶粒结构单位结合，构成所述第二电介质薄膜时，当设所述第二电介质薄膜的电容温度系数为τ，所述第二电介质薄膜的介电常数为κ，所述第二电介质薄膜的膜厚度tN为tN＝{εoτtot/(C/S)}·{1/(τ/κ)}，主晶粒的τ/κ为τg/κg时，利用所述主晶粒的晶粒直径的大小，选择(τ/κ)/(τg/κg)的值超过1的主晶粒直径区域，来决定晶粒直径的目标值，并通过控制所述主晶粒的粒子直径，使其达到所述目标值，来形成所述第二电介质薄膜，据此，使该第二电介质薄膜的膜厚度变薄，形成薄膜电容器；所述C/S为薄板电容值，所述εoτtot为所希望的电容温度系数。