[发明专利]栓塞金属层的形成方法无效
| 申请号： | 02123366.7 | 申请日： | 2002-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1397993A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王裕标;莊佳哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/108 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种新的栓塞金属层的形成方法，该方法包括首先提供一具有一介电层与一介层洞的半导体底材；然后，形成一阻障层于介电层以及介层洞的侧壁与底部表面上；接着，进行至少一次原子层沉积制程(ALD)以形成一连续性金属源层(ContinuousMetalSeedLayer；CMSL)于阻障层上，其中，原子层沉积制程的步骤至少包含首先通入氢气与硅烷的混合气体；然后，进行一洁净与真空步骤；之后，通入一金属反应气体以形成一厚度约为20至40埃的连续性金属源层；最后，形成一厚度约为20至40埃的成核层于连续性金属源层上。 | ||
| 搜索关键词： | 栓塞 金属 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属层的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一具有一阻障层的半导体底材；进行至少一次原子层沉积制程以形成一连续性金属源层于该阻障层上；与形成该金属层于该连续性金属源层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02123366.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：盘式制动器卡钳总成
- 下一篇：操作一种垂直轮手制动器的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
