[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02124493.6 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395319A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 牧田直树;仲泽美佐子;大沼英人;松尾拓哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所;夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包含：衬底上的结晶半导体层，此结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；以及其间插入栅绝缘膜的邻近结晶半导体层的栅电极，其中结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区。
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