[发明专利]铟锡氧化膜的制造方法有效
| 申请号： | 02125163.0 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395138A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 菱田光起 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻率较高且为低电阻的高透光率的ITO膜。在常温及添加水份的环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜，成膜后，进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。添加水份环境设为使成膜室内的水份总分压约为8.2×10－3帕以下，而在后续的退火过程发挥膜质改善效果，并且，通过使成膜室内的水份总分压为3.20×10－3帕以上，则可形成非晶质性的ITO膜，而在成膜后可迅速进行蚀刻处理。成膜后(图案化后)的热处理优选以约180℃以上(例如约220℃)的温度进行约1小时以上(例如约1小时～约3小时)为条件，由此，膜片将被多晶化，得到低电阻且高透光率的ITO膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铟锡氧化膜的制造方法，其特征在于：在常温及添加水份的气体环境下形成铟锡氧化膜，在成膜后，进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。
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