[发明专利]高集成度积层基材制造方法有效

专利信息
申请号: 02140388.0 申请日: 2002-07-02
公开(公告)号: CN1395463A 公开(公告)日: 2003-02-05
发明(设计)人: 何昆耀;宫振越 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;B32B31/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 沙捷,王初
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种积层基材,由多个介电层以及多个线路层交互堆栈构成。其中,介电层中具有多个导通孔,而线路层通过介电层中的导通孔而彼此电性连接,本实施例的积层基材结构的特征在于介电层之间的线路层图案为与传统的孔环垫设计不同,而采取黏着力较佳的高信赖度的嵌入式结构设计无导通孔环垫。本发明还公开了一种积层基材的制造方法,系先进行具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层的制作,当具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层制作完成之后,再将其同步进行对位并压合以完成积层基材的制作。
搜索关键词: 集成度 基材 制造 方法
【主权项】:
1.一种积层基材制造方法,其特征在于,包括:提供一第一支撑体;于该第一支撑体上形成一图案化线路;于该第一支撑体上形成一第一介电层,该第一介电层覆盖住该图案化线路,以于该第一支撑体上形成一具有图案化线路的介电层;提供一第二支撑体;于该第二支撑体上形成多个导通孔柱;于该第二支撑体上形成一第二介电层,这些导通孔柱突出于该第二介电层,以于该第二支撑体上形成一具有导通孔柱的介电层;以及将多个具有图案化线路的介电层与多个具有导通孔柱的介电层对位并压合,以使得些导通孔柱刺穿该第一介电层而与该图案化线路电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司,未经威盛电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02140388.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top