[其他]金属氧化物半导体绝缘工艺在审
| 申请号： | 101985000004651 | 申请日： | 1985-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1003820B | 公开（公告）日： | 1989-04-05 |
| 发明（设计）人： | 帕特森 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国 加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在ＮＯＳ电路中形成场氧化区的一种工艺，最初热生长一层氮化硅密封衬底表面，以减少横向氧化，或者说减小沿衬底与氮化硅界面生成的鸟嘴，场氧的生长分两步，第一步为Ｈｃｌ气氛中的干氧氧化，第二步为湿氧氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 绝缘 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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