[其他]含氟的P型掺杂微晶半导体合金在审
| 申请号： | 101985000008047 | 申请日： | 1985-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN85108047B | 公开（公告）日： | 1988-09-07 |
| 发明（设计）人： | 萨布亨杜·古哈;詹姆斯·库尔曼;斯坦福·R·奥欣斯基 | 申请（专利权）人： | 能源转换装置公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬;李先春 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种含有充份密集的晶体夹杂物的以显著改善材料性能的、含氟掺硼Ｐ型硅基半导体微晶合金，以及该合金的制造方法。包含有至少一层暴露于入射光下的这种合金的单个电池或多层电池的光生伏打器件改善了填充因子和转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体 合金 | ||
【主权项】：
暂无信息
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