[其他]电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 101985000008626 | 申请日： | 1985-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1004245B | 公开（公告）日： | 1989-05-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;伊藤健二;永山进 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻图形的层，该层可以是导电金属层，透明导电层和不透明导电层的或反射的得叠层，或非单晶半导体层；另一步是用波长为４００毫微米或更短的激光束在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻有图形的导电金属层，刻有图形的透明导电层和非透明的或反射导电层的重叠层，或刻有图形的非单晶半导体层。本发明的优点在于形成的刻有图形层上没有任何缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/101985000008626/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体集成电路器件
- 下一篇：印刷电路板通孔的镀前预处理方法
- 同类专利
- 专利分类
