[其他]湿化学共沉淀氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺在审

专利信息
申请号: 101987000000243 申请日: 1987-03-24
公开(公告)号: CN87100243B 公开(公告)日: 1988-08-10
发明(设计)人: 温廷琏;施鑫陶;李晓飞 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国科学院上海专利事务所 代理人: 聂淑仪;潘振苏
地址: 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 湿化学共沉淀制备的氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺,介绍了一种用固体电触质陶瓷(Mg-PSZ)与玻璃、陶瓷及合金的封接,可分别采用煤气一氧气混合焰的普通灯工吹制及过火技术:中温封接及中、低温范围不同降温速率的封接。本发明工艺简单,封接件可达真空气密或氦检气密的要求。特别是由于Mg-PSZ可与合金进行封接,拓宽了Mg-PSZ作为氧敏器件的技术应用范围。
搜索关键词: 化学 共沉淀 氧化锆 mg psz 工艺
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