[其他]薄膜磁头及其制造方法在审

专利信息
申请号: 101987000000502 申请日: 1987-01-27
公开(公告)号: CN1004035B 公开(公告)日: 1989-04-26
发明(设计)人: 今中律;高木政幸;户川卫星;藤治信;长池完训;大浦正树;铃木三郎;小林哲夫;锹俊一郎 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 曹济洪;董江雄
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种薄膜磁头,在其由第一和第二磁层构成的磁路中,带有两层导体层。该磁路在其与录制介质相对的一侧,有着第一和第二磁层在基本等于缝隙深度的长度上相互对应的部分,而非磁性缝隙层插入其间,另外还有着上述两磁层相互连接的前部。缝隙层的边缘构成了磁路的缝隙。如上配置的薄膜磁头可在不减少其生产量的情况下实现高密度录制。
搜索关键词: 薄膜 磁头 及其 制造 方法
【主权项】:
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