[发明专利]半导体对准辅助物无效
| 申请号： | 200480008567.8 | 申请日： | 2004-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101385141A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·G·谢克 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/58;H01L21/302;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体器件的对准辅助物(115)。该对准辅助物包括：具有高水平反射率的区域(123)和具有低水平反射率的相邻区域(125)。具有低水平反射率的区域包括位于半导体器件的互连层(225)中且位于半导体器件的有效电路(218)之上的至少一层瓦片(203)。在一些例子中，在对准辅助物的扫描方向上的瓦片之间的间隔小于用于扫描对准辅助物的光(例如激光)的波长。在其它例子中，在对准辅助物的扫描方向上的瓦片的宽度小于用于扫描对准辅助物的激光的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 对准 辅助 | ||
【主权项】：
1. 一种用于半导体器件的对准辅助物，该对准辅助物包括：具有第一水平反射率的第一区域；与第一区域相邻且具有比第一水平反射率小的第二水平反射率的第二区域，其中第二区域包括至少一层瓦片，所述至少一层瓦片中的每层都位于互连层中；并且其中所述至少一层瓦片位于半导体器件的有效电路的正上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480008567.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碱性一次电池
- 下一篇：用于模制盖的衬底表面的非导电平坦化
