[发明专利]金属－绝缘体转换开关晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200480034694.5 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101124679A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 尹斗协;金铉卓;蔡秉圭;姜光镛;孟成烈 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属－绝缘体转换开关晶体管，该晶体管具有硅衬底上的栅电极(背栅结构)和依靠电场的变化从绝缘体相转变为金属相或相反的VO2金属－绝缘体转换沟道层，及其制造方法，借此可以制造具有高电流增益特性和热稳定的金属－绝缘体转换开关晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 转换开关 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属-绝缘体转换开关晶体管，包括：硅衬底；在所述衬底上的栅电极；在所述栅电极和硅衬底上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的金属-绝缘体转换沟道层，其中所述金属-绝缘体转换沟道层依靠电场的变化，从绝缘体相转变成金属相，或相反；和源和漏，分别与所述金属-绝缘体转换沟道层的两侧接触。
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