[发明专利]非易失性铁电存储器设备的制备方法和由此获得的存储器设备无效
| 申请号： | 200480038535.2 | 申请日： | 2004-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101084580A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 阿尔贝特·W·马尔斯曼;达戈贝尔特·M·德里兀;格温·H·格林克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8246;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及包括晶体管(22)和电容器(23)的非易失性铁电存储器设备(30)，尤其是非易失性可电清除的可编程的铁电存储元件，和所述非易失性铁电存储器设备(30)的制备方法。由于所述晶体管(22)的栅极介电层和所述电容器(23)的介电层由相同的有机或无机铁电层(14)制得，因此根据本发明的所述方法包括有限数量的掩模步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性铁电 存储器 设备 制备 方法 由此 获得 | ||
【主权项】：
1、一种可用于非易失性存储器目的或闭锁电路的设备(30)，所述设备包括：-选择设备(22)，其具有控制电极(13)和使所述控制电极与所述选择设备的剩余部分绝缘的第一介电层，和-存储设备(23)，其包括第二介电层，其中选择设备(22)的第一介电层和存储设备(23)的第二介电层是同一个铁电层(14)的分别的部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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