[发明专利]光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置无效
| 申请号： | 200480044531.5 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101073118A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 青山信秀 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105;G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置。不对光学存储介质(4)进行退火处理而在上述光学存储介质的退火管理区域(40)中记录退火管理信息(40－1)，提供给用户。如果根据用户的选择对上述光学存储介质进行退火处理，则可以通过记录轨道间的区域的退火效果而进行高密度记录再现。存储介质生产厂家可以通过省略退火处理来提供低价的介质。另外，因为退火效果而无需加深用于介质中的基板的沟槽，所以易于制造上述基板。进而，如果在待进行退火的区域的凹坑部记录广告信息，则也可以在退火处理中再现上述广告信息，能够用广告费来弥补介质价格。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 存储 介质 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光学存储介质，该光学存储介质至少利用光来进行记录和再现，其特征在于，该光学存储介质具有：具有由物理形状的变化而构成的沟槽和岸台的基板；以及设置于上述基板上的记录层，上述沟槽或者岸台具有可改写的表示是否经过退火处理的退火管理信息，该退火处理通过照射上述光利用上述沟槽或者岸台来分离上述记录层，提高记录密度。
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