[发明专利]半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 200480044750.3 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101091240A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 铃木清市 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，在包围接合用开口(108)的焊垫(101)各边设有缝隙状的空隙区域(107)，以空隙区域(107a)作为边界，分割为焊垫(101)的接合用开口(108)侧区域(101a)和相邻设置的配线层(102)侧区域(101b)。配线层(102)侧区域(101b)与接合用开口(108)侧区域(101a)分离达空隙区域(107a)的宽度，且因为在该部分有比金属材料更柔软材料的钝化膜(103)的一部分形成被埋入的状态，所以热应力是通过空隙区域(107a)吸收、分散，并且大幅地抑制金属原子从接合用开口(108)侧区域(101a)扩散到配线层(102)侧区域(101b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备有相邻设置的焊垫部和配线部，并且在上述焊垫的上述配线部侧的区域，设有和该焊垫的外周缘往实际相同方向延伸的空隙区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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