[发明专利]具有改良强度的功率半导体装置

摘要

本发明所公开的功率半导体由一n+漏极区域；一n-外延区域；p基体与p+基体区域，于n-外延区域之上形成一条纹状配置；一n°外延区域，形成于n-外延区域之上与介于p基体与p+基体区域之间；一P型边缘区域，围绕p+基体区域并连接该p+基体区域的两端；一n+源极区域，形成于该p基体区域两端；栅极介电质，形成于n+基体区域、p-基体区域，以及n°外延区域之上；以与门极电极，形成于栅极介电质之上，等等所组成，特别是本发明的功率半导体的P型边缘区段由多重子区域所组成，以避免不平整电流集中在p+基体区域，并借此提升功率半导体的强度。

主权项

1.一种具有改良强度的功率半导体，包含：一功率半导体，具有一传导型态一的漏极区域；一传导型态一的主要外延区域，布置于该漏极区域之上；多重的传导型态二的主要与次要基体区域，以一条纹状配置布置于该主要外延区域之上；一传导型态一的次要外延区域，形成于主要基体区域之间；一传导型态二的边缘区域，围绕次要基体区域，并连接至次要基体区域的两端；多重的传导型态一的源极区域，形成于主要基体区域的一特定区域之内；栅极介电质，形成于源极区域、主要基体区域，以及次要外延区域之上；以及该边缘区域由多重子区域形成。