[发明专利]处理具有最小扇贝纹路的衬底的方法无效
| 申请号： | 200580009789.6 | 申请日： | 2005-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101052536A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 塔玛拉克·潘杜姆索波尔恩 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | B44C1/22 | 分类号： | B44C1/22;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种处理具有最小扇贝纹路的衬底的方法。通过处理具有最小扇贝纹路的衬底，可改善特征公差和质量。本发明的实施例提供了一种用于通过以任何顺序交替聚合物沉积和衬底蚀刻步骤通过蚀刻掩模来蚀刻层中特征的方法。为了实现文中描述的优点，工艺步骤之间的工艺气压可基本相等。在一些实施例中，在整个衬底处理期间可维持持续的等离子体流。在另一些实施例中，可通过单个质量流量控制阀来控制工艺气体，以在小于250毫秒内转换工艺气体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 具有 最小 扇贝 纹路 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于通过蚀刻掩模来蚀刻层中的特征的方法，包括以下步骤：a)在第一压力下提供聚合物沉积气体；由所述聚合物沉积气体形成第一等离子体；在所述蚀刻掩模和所述层的所有露出的表面上形成钝化层；b)在第二压力下提供蚀刻气体；由所述蚀刻气体形成第二等离子体；将由所述蚀刻掩模限定的所述特征蚀刻成为所述层；以及c)提供用于在选取的时间参数内在所述聚合物沉积气体和所述蚀刻气体之间进行转换的控制阀，其中，所述第一压力和所述第二压力基本相等，并且其中，重复所述步骤a)和b)，直至实现所述特征。
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