[发明专利]形成具有匹配几何形状的集成电路部件的系统和方法无效
| 申请号： | 200580023835.8 | 申请日： | 2005-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101416279A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | K·G·格林 | 申请（专利权）人： | 凸版光掩膜公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在特定实施例中，提供了一种形成集成电路部件的方法。形成第一光掩模，该第一光掩模包括具有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模部件。执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件。执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第二位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 匹配 几何 形状 集成电路 部件 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成集成电路部件的方法，包括：形成第一光掩模，该第一光掩模包括具有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模部件；执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件；以及执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第二位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
