[发明专利]衬底处理装置无效
申请号: | 200580034403.7 | 申请日: | 2005-05-23 |
公开(公告)号: | CN101061574A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 木泽浩;古贺贵博;中务胜吉;小笠原和久;山口弘 | 申请(专利权)人: | S.E.S.株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G03F7/30;G03F7/42;H01L21/306 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种衬底处理装置,具备四方用侧壁(2b~2e)包围、上部开口的有底的容器组成的处理槽(1),和供给此处理槽(1)处理液的第1、第2供给喷嘴管(10a~10d),其特征在于,上述第1、第2供给喷嘴管(10a~10d),分别由中空筒状体、在长方向的侧面上以规定间隔排列成1列的具有多个喷射口(11)的供给喷嘴管组成,其中第1供给喷嘴管(10b、10d),使其喷射口相对于水平方向以规定角度倾斜,向下方倾斜,第2供给喷嘴管(10a、10c),使其喷射口相对于水平方向以规定角度倾斜,向上方倾斜,在上述处理槽的一侧壁面(2b)上空开规定间隔,设置成大致水平。本发明提供一种使处理槽内的处理液不滞流、能够进行均一的衬底的处理,还极易除去微粒的衬底处理装置。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】:
1、一种衬底处理装置,具备四方用侧壁包围、上部开口的有底的容器组成的处理槽,和供给此处理槽处理液的第1、第2供给喷嘴管,其特征在于,上述第1、第2供给喷嘴管,分别由中空筒状体、长距离方向的侧面按规定间隔排列成1列的具有多个喷射口的供给喷嘴管组成,其中第1供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜下方倾斜,第2供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜上方倾斜,在上述处理槽的一侧壁面上以规定间隔分离,大致呈水平设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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