[发明专利]具有均匀性控制的蚀刻

摘要

提供了一种在晶片上形成半导体器件的方法。蚀刻层形成在晶片上面。光刻胶掩模形成在蚀刻层上面。仅环绕晶片外边缘的光刻胶掩模被除去，以暴露环绕晶片外边缘的蚀刻层。包括含碳和氢物种的沉积气体被提供。从沉积气体形成等离子体。聚合物层被沉积在环绕晶片外边缘的暴露蚀刻层上，其中聚合物由从沉积气体形成的等离子体形成。蚀刻层蚀刻通过光刻胶掩模，同时消耗沉积在环绕晶片外边缘的暴露蚀刻层上的光刻胶掩模和聚合物。

主权项

1.一种在晶片上形成半导体器件的方法，包括：在晶片上面形成蚀刻层；在所述蚀刻层上面形成光刻胶掩模；除去仅环绕所述晶片外边缘的所述光刻胶掩模，以暴露环绕所述晶片所述外边缘的所述蚀刻层；提供包括含碳和氢物种的沉积气体；从所述沉积气体形成等离子体；在环绕所述晶片所述外边缘的所述暴露蚀刻层上沉积聚合物层，其中所述聚合物由来自所述沉积气体的所述等离子体形成；及蚀刻所述蚀刻层通过所述光刻胶掩模，同时消耗沉积在环绕所述晶片所述外边缘的所述暴露蚀刻层上的所述光刻胶掩模和所述聚合物。