[发明专利]表面区域进行改性的方法和电子器件无效
| 申请号： | 200580040406.1 | 申请日： | 2005-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101065830A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 安东尼厄·L·A·M·克默恩;弗雷迪·罗泽博姆;约翰·H·克洛特威克;罗伯图斯·A·M·沃尔特斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明方法中，将第一层(具体地，非晶硅)沉积到具有沟槽的衬底表面上。将该表面的一部分用保护层进行覆盖。随后，在将第一层保持在沟槽中的同时，将其用干法刻蚀处理从衬底表面上无掩模地去除。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 区域 进行 改性 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体衬底中的沟槽的表面区域进行改性的方法，包括步骤：将第一层涂到所述衬底的表面上和所述沟槽中；在刻蚀处理中从所述衬底的表面上去除所述第一层；以及提供表面改性处理以只在所述沟槽中进行表面改性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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