[发明专利]COF基板用层合体及其制造方法以及使用该COF基板用层合体形成的COF膜载带有效
| 申请号： | 200580041088.0 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101076885A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 岸田克也;岛田彰;德田裕一;财部妙子 | 申请（专利权）人： | 新日铁化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K1/03 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线，同时导体与绝缘层之间的粘接力高，耐电迁移性优异，可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。本发明涉及COF基板用层合体，是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体，其中导体的厚度为1～8μm，导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，此外，本发明还涉及COF基板用层合体的制造方法，其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层，对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1～8μm，同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。 | ||
| 搜索关键词： | cof 基板用层 合体 及其 制造 方法 以及 使用 形成 膜载带 | ||
【主权项】：
1.COF基板用层合体，是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体，其特征在于：导体的厚度为1～8μm，导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
