[发明专利]具有选择性气体供应的选择性外延工艺

摘要

在一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，该方法包含将具有单晶表面和第二表面(非晶或多晶)的基板安置于一工艺反应室内，并且将该基板暴露在沉积气体下以在单晶表面上形成外延层并在第二表面上形成多晶层。该沉积气体较佳地含有硅源和至少一个第二元素源，例如锗源、碳源或两者。之后，该方法更涉及将基板暴露在蚀刻剂气体下，而使多晶层以比外延层快的速率蚀刻。基板可连续并重复地暴露在沉积和蚀刻气体下，以形成含硅材料。在一实施例中，该沉积气体包含硅烷，而该蚀刻气体包含氯气和氮气。

主权项

一种在基板表面上选择性且外延形成含硅材料的方法，包含：将具有单晶表面和介电表面的基板安置于工艺反应室内；执行一沉积顺序至少两次，该沉积顺序包括：在该单晶表面上沉积外延材料并同时在该介电表面上沉积多晶材料，其中该沉积气体至少包含一硅源、一硼掺杂源以及一碳源；以及其后使用一蚀刻气体蚀刻该多晶材料，其中该沉积顺序的净效果本质上包括选择性地生长在该单晶表面上的该外延材料，其中所述蚀刻气体包含一种选自包含氯气、BCl3、CCl4、ClF3及其组合物的组中的材料，该蚀刻气体还包括氮气，其中碳浓度在该外延材料中是变化的。