[发明专利]多重掩模和制造不同掺杂区域的方法有效
| 申请号： | 200580041475.4 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101069269A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 马丁·克奈普;雷纳·米尼克斯霍弗;马丁·施雷姆斯 | 申请（专利权）人： | 奥地利微系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 奥地利翁特*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明的目的是利用单掩模(DM)提供一种在衬底(S)上制造不同掺杂区域(DG)的方法和器件。为此目的，提供了包括各自细长掩模开口(MO)的不同掩模区域，所述掩模开口相对于倾斜注入的空间方向而不同地排列。在第一和第二倾斜注入之间，旋转衬底，由此在第一倾斜注入中得到在不同掩模区域中相反的最大和最小遮蔽，并且一旦旋转衬底，则反转第二倾斜注入中的上述关系。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 制造 不同 掺杂 区域 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底内制造不同掺杂的掩模：所述掩模由设置在所述衬底上的具有均匀高度h的掩模层形成，包含包括第一掩模开口的第一掩模区域，所述第一掩模开口形成为细长形状并定向平行于第一取向，包含包括第二掩模开口的第二掩模区域，所述第二掩模开口形成为细长形状并定向平行于第二取向，其中所述第一和第二取向形成0°＜β≤90°的β角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
