[发明专利]高纯多面体低聚硅倍半氧烷单体的制备方法无效
| 申请号： | 200580042046.9 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101072811A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | J·J·施瓦博;安以中;S·马里克;B·B·德 | 申请（专利权）人： | 杂混复合塑料公司 |
| 主分类号： | C08G77/08 | 分类号： | C08G77/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多面体低聚硅倍半氧烷的合成方法，其以高收率产生适用在微电子用途中的低树脂含量、无溶剂且无痕量金属的单体。使POSS硅烷醇与硅烷偶联剂在溶剂和超强碱存在下反应。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 多面体 低聚硅倍半氧烷 单体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.制备POSS单体的方法，包括使POSS硅烷醇与硅烷偶联剂在溶剂和超强碱存在下反应。
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