[发明专利]硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶片有效
| 申请号： | 200580045210.1 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101091238A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 水岛一寿 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅晶片的研磨方法及制造方法、以及硅晶片，该硅晶片的研磨方法，是研磨在背面侧形成有氧化膜的硅晶片的方法，其中去除前述硅晶片斜角部的氧化膜的同时，以使氧化膜的厚度从该晶片背面的最外周部至少2毫米内侧起朝向外侧变薄的方式，来研磨该晶片的背面外周部的氧化膜。由此，提供一种硅晶片的研磨方法及制造方法、以及为了适合实施该方法的圆盘状工作件的研磨装置、及即使背面形成有氧化膜在操作处理后粒子亦不会附着在晶片表面上，亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降的硅晶片，该硅晶片的研磨方法及制造方法可以防止操作处理后的粒子附着在晶片表面上，亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降，更不会使生产率下降。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 研磨 方法 制造 圆盘 工作 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的研磨方法，其是用以研磨在背面侧形成有氧化膜的硅晶片的方法，其中至少在去除前述硅晶片斜角部的氧化膜的同时，以使氧化膜的厚度从该晶片背面的最外周部至少2毫米内侧起朝向外侧变薄的方式，来研磨该晶片的背面外周部的氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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