[发明专利]在连续在线阴影掩模沉积工序中利用选择性等离子蚀刻形成过孔的系统及方法有效
| 申请号： | 200580045262.9 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101091248A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·P·布罗迪;约瑟夫·A·马尔卡尼奥 | 申请（专利权）人： | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 本发明公开一种阴影掩模气相沉积系统，在该系统中，在基板上气相沉积第一导体，在所述第一导体上气相沉积绝缘体。然后至少在所述绝缘体上气相沉积第二导体。在气相沉积所述第二导体之前或之后等离子蚀刻所述绝缘体，以便在其中限定过孔，所述第一导体的至少一部分透过所述过孔露出。经由所述过孔在所述第一导体和所述第二导体之间建立电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 在线 阴影 沉积 工序 利用 选择性 等离子 蚀刻 形成 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阴影掩模气相沉积方法，包括：(a)在基板上气相沉积第一导体层；(b)在所述第一导体层上气相沉积绝缘层；(c)等离子蚀刻所述绝缘层，以便在其中限定过孔，所述第一导体层的至少一部分透过所述过孔露出；以及(d)至少在所述绝缘层上气相沉积第二导体层，其中，所述过孔中的导电体将所述第一导体层和所述第二导体层电连接。
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