[发明专利]光刻胶和刻蚀残留物的低压去除

摘要

提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。

主权项

1.一种现场灰化方法，包括：将包含含氢气体的处理气体引入到等离子体处理室中；在所述等离子体处理室中生成等离子体；将衬底暴露于所述等离子体，所述衬底位于衬底夹持器的顶部；通过向所述衬底夹持器施加第一偏置来执行第一灰化步骤；以及通过向所述衬底夹持器施加第二偏置来执行第二灰化步骤，所述第二偏置大于所述第一偏置，其中所述第二灰化步骤期间所述处理室中的室压强小于20mTorr。