[发明专利]改进CMOS晶体管中的掺杂剂分布的系统和方法

摘要

根据本发明的一个实施方式，形成半导体器件的方法包括在半导体本体(14)的外表面上形成栅叠层(22)。第一和第二侧壁体(34)形成于所述栅叠层的相对侧上。第一凹槽(36a)形成于所述栅叠层的栅极导体(24)的外表面上，并且当所述第一凹槽形成之后第一掺杂剂(40)被注入到所述栅叠层中。所述第一掺杂剂从限定所述第一凹槽的栅叠层的外表面向内扩散。所述第一掺杂剂朝该栅叠层和该半导体本体之间的界面扩散。所述第一凹槽提高了在该界面处的所述第一掺杂剂的浓度。

主权项

1.形成半导体器件的方法，包括：在半导体本体的外表面上形成栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体；在所述栅叠层的相对侧上形成第一和第二侧壁体；在所述栅极导体的外表面上形成第一凹槽；以及在形成所述第一凹槽后，将第一掺杂剂注入到所述栅极导体中，所述第一掺杂剂从限定所述第一凹槽的所述栅极导体的外表面向内扩散，所述第一掺杂剂向着所述栅叠层和所述半导体本体之间的界面扩散。