[发明专利]发光元件、发光器件和电子器件有效

专利信息
申请号: 200580047423.8 申请日: 2005-11-28
公开(公告)号: CN101111948A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 中岛晴惠;野村亮二;安部宽子;濑尾哲史;坂田淳一郎;熊木大介;池田寿雄 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;C09K11/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘锴;韦欣华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种具有低驱动电压并且能够将寿命增长为比常规发光元件更长的发光元件。一个特征是包括多个层,该多个层包括在第一与第二电极之间包含发光物质的层,其中该多个层的至少一个层包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质。通过采用该结构,可以实现以上目的。
搜索关键词: 发光 元件 器件 电子器件
【主权项】:
1.一种发光元件,其包括:第一电极;第二电极;和位于第一电极与第二电极之间的多个层,其中该多个层包括包含发光物质的层,其中该多个层的至少一个包含:由通式(1)表示的咔唑衍生物;和金属氧化物,并且[化学式1]其中在该式中,R1是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的烷氧基、取代或未取代的芳基,或者取代或未取代的杂环残基,并且R2-R5是相同或不同的材料并且是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的烷氧基、碳数1-20的酰基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的二烷基氨基、碳数1-20的二芳基氨基、取代或未取代的杂环残基,或咔唑基。
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