[发明专利]存储单元阵列及其制造方法以及使用该存储单元阵列的半导体电路装置

摘要

本发明的目的在于，提供一种虽具有高密度，但不会发生多重选择的、铺满了1T－DRAM的存储单元及该存储单元的制造方法，以及利用该存储单元阵列的半导体电路装置。提供一种存储单元阵列，其具有：绝缘支撑基板上独立了的半导体区域；形成在半导体区域上的存储单元；使存储单元处于绝缘状态的绝缘区域。而且，该存储单元具有；源极区域；漏极区域；正面栅极区域，其中间隔着栅极区域，以隔开上述源极区域和上述漏极区域的方式配置在半导体区域的侧面上；背面栅极区域，其中间隔着栅极区域，以隔开上述源极区域和上述漏极区域的方式配置在与半导体区域的上述侧面相对向的侧面上。而且，存储单元的特征在于，与在行方向上相邻的存储单元共用上述背面栅极区域。

主权项

1.一种存储单元阵列，以阵列状配置存储单元，其具有：绝缘支撑基板上的半导体区域；形成在上述半导体区域的存储单元；形成在上述半导体区域之间，用于使上述存储单元处于绝缘状态的绝缘区域，该存储单元阵列的特征在于，上述存储单元，具有：源极区域，其形成在上述半导体区域的上面；漏极区域，其形成在上述半导体区域的上面；正面栅极区域，其中间隔着栅极绝缘膜，以隔开上述源极区域和上述漏极区域的方式配置在上述半导体区域的第一侧面；背面栅极区域，其中间隔着栅极绝缘膜，以隔开上述源极区域和上述漏极区域的方式配置在与上述半导体区域的上述第一侧面相对向的第二侧面，上述存储单元与在第一方向上相邻的存储单元共用上述背面栅极区域。