[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有闪存单元且能够提高成品率的半导体器件及其制造方法。该半导体器件的制造方法包括：使用具有遮光图案102的曝光用掩模105对光致抗蚀剂进行曝光的工序，所述遮光图案102具有二个以上的宽度狭窄部104；对光致抗蚀剂进行显影，形成多个带状的抗蚀图案68的工序；将抗蚀图案68用作掩模，选择性地对第一导电膜67进行蚀刻的工序；在第一导电膜67上形成中间绝缘膜69的工序；在中间绝缘膜69上形成第二导电膜74的工序；对第一导电膜67、中间绝缘膜69以及第二导电膜74进行图案成形，从而形成闪存单元FL，并形成结构体98的工序，所述结构体98由依次形成下部导体图案、中间绝缘膜的切片以及虚设栅电极而成。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；多个带状的有源区域，其在上述半导体衬底上被划定，相互平行且隔开有间隔；元件分离绝缘膜，其形成在上述半导体衬底上，并包围上述有源区域；闪存单元，其在上述有源区域上依次形成有隧道绝缘膜、浮栅、中间绝缘膜以及控制栅；岛状的下部导体图案，其针对上述有源区域的每一个，形成在上述有源区域的末端的上述元件分离绝缘膜上，并由与上述浮栅相同的材料构成；上述中间绝缘膜的切片，其以覆盖上述多个下部导体图案的方式形成，并由该下部导体图案的每一个共享；虚设导体图案，其由与上述控制栅相同的材料构成，形成在上述中间绝缘膜的切片上，并由上述下部导体图案的每一个共享；上述中间绝缘膜的栅栏，其在上述元件分离区域上，沿着上述有源区域从上述浮栅的侧面向上述下部导体图案的侧面延伸。