[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610025422.X | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101051610A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘燕丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明半导体器件制造方法在刻蚀SONOS器件的ONO叠层结构时，采用四氟化碳(CF4)和三氟甲烷(CHF3)的混合气体作为主刻蚀气体，取代HBr和C2F6的混合气体；采用三氟甲烷(CHF3)作为过刻蚀气体，取代CH2F2/SF6混合气体。采用四氟化碳(CF4)和三氟甲烷(CHF3)的混合气体一次完成主刻蚀和过刻蚀的步骤，简化了刻蚀工艺。由于上述刻蚀气体良好的刻蚀选择性和合适的刻蚀速率，使得刻蚀气体的等离子体对ONO叠层结构的刻蚀作用得到控制和缓冲。在对极薄栅极氧化层进行刻蚀的过程中，能够精确控制刻蚀的深度，使刻蚀完美地停止在ONO的下层氧化层表面，而且能够完全消除在多晶硅栅极侧壁和根部被横向刻蚀导致凹陷现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，包括：a提供一半导体衬底，在衬底上形成介质叠层；b在所述第一介质层上形成多晶硅层；c使用第一气体刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅栅极；d使用第二气体刻蚀所述介质叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
