[发明专利]一种复合铁电薄膜及其低温制备方法无效
| 申请号： | 200610025725.1 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101054671A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;徐金宝 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C20/00;C23C14/34;C23C8/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;钱春新 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于采用溶胶－凝胶法低温制备复合铁电薄膜的技术领域。本发明所述的复合铁电薄膜的低温制备方法如下：首先采用溶胶凝胶法配制前驱体溶液并在衬底Pt/Ti/SiO2/Si和Ti上旋转涂覆所需厚度的薄膜，每层薄膜的热处理温度为300～400℃，然后将此薄膜在90～300℃的水热溶液中浸渍10～30小时，之后再放入1～35MPa的纯氧环境中处理10～30小时，最后在其上表面溅射金作为上电极。本发明的方法制备温度低，解决了铁电薄膜与半导体集成电路工艺相容的技术问题。另外，在水热与高压氧环境中使薄膜晶粒长大的同时，缺陷减少，从而得到性能良好的铁电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 薄膜 及其 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种复合铁电薄膜的低温制备方法，其步骤是：首先采用溶胶凝胶法配制前驱体溶液并在衬底上旋转涂覆所需厚度的薄膜，每层薄膜的热处理温度为300～400℃，然后将此薄膜在90～300℃的水热溶液中浸渍10～30小时，之后再放入1～35MPa的纯氧环境中处理10～30小时，最后在其上表面溅射金作为上电极。
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