[发明专利]利用多晶硅区的I/O ESD保护的系统和方法

摘要

一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括第一晶体管，所述第一晶体管耦合到第一系统并包括第一栅极、位于第一栅极和第一衬底之间的第一电介质层、第一源极和第一漏极。第一系统包括或耦合到逻辑核心晶体管，且该逻辑核心晶体管包括第二栅极、位于第二栅极和第二衬底之间的第二电介质层、第二源极和第二漏极。第一晶体管从多个晶体管中选择，且多个晶体管包括多个栅极区、多个源极区和多个漏极区。多个栅极区中的每一个与多晶硅区相交。

主权项

1.一种用于静电放电保护的系统，该系统包括：第一晶体管，耦合到第一系统并包括第一栅极、位于所述第一栅极和第一衬底之间的第一电介质层、第一源极和第一漏极，所述第一系统包括或耦合到逻辑核心晶体管，所述逻辑核心晶体管包括第二栅极、位于所述第二栅极和第二衬底之间的第二电介质层、第二源极和第二漏极；其中：所述第一晶体管从多个晶体管中选择，所述多个晶体管包括多个栅极区、多个源极区和多个漏极区；多个栅极区中的每一个与多晶硅区相交，所述多晶硅区通过第三电介质层与所述第一衬底隔开，且所述多晶硅区的至少一部分位于有源区上；所述多晶硅区邻近第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区与相反的电荷极性相关联；所述第二电介质层和所述第三电介质层与相同组成和相同厚度相关联；所述第二栅极和所述多晶硅区与相同组成和相同厚度相关联。