[发明专利]能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法

摘要

本发明提供一种能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，在完成铜导线层沉积后，利用一等离子对铜导线层进行表面前处理，再进行之退火工艺，使经退火工艺后的铜导线层应力倾向为压缩应力，以避免通常铜导线层因自身的张应力导致在平坦化工艺可能产生的形态缺陷。

主权项

1.一种能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于包括以下步骤：提供一具有MOS组件的半导体基底，其上依次形成有一铜金属层、一第一刻蚀终止层、一第一介电层、一第二刻蚀终止层及一第二介电层；对该半导体基底进行一刻蚀工艺，以形成一沟槽与一中介窗，其中该中介窗贯穿该第一介电层与该第二刻蚀终止层，该沟槽贯穿该第二介电层且底部与该中介窗相连接；在该半导体基底上沉积一铜导线层；对该半导体基底依次进行一等离子表面前处理与一退火工艺；以及对该半导体基底进行一平坦化工艺，以移除该沟槽外多余的该铜导线层与部分该第二介电层，以获得一填满该沟槽与该中介窗的铜金属导线。