[发明专利]双镶嵌结构的制造方法有效
| 申请号： | 200610029908.0 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123243A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一表面具有第一介质层的半导体衬底；在所述第一介质层中形成金属互连线；在所述第一介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层；在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介质层中形成连接孔；在所述第二介质层上形成底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层；刻蚀所述底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层，以及所述覆盖层直至露出所述金属互连线；填充金属材料形成双镶嵌结构。本发明的方法在第二介质层上覆盖的底部抗反射层表面淀积一层致密的遮挡层，这层遮挡层能够阻止覆盖层中的氮离子与光致抗蚀剂接触，从而避免了光致抗蚀剂中毒现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一表面具有第一介质层的半导体衬底；在所述第一介质层中形成金属互连线；在所述第一介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层；在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介质层中形成连接孔；在所述第二介质层上形成三层结构；刻蚀所述三层结构和所述覆盖层直至露出所述金属互连线；填充金属材料形成双镶嵌结构。
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