[发明专利]一种测量硅化金属阻止区纯电阻及界面电阻的方法

摘要

本发明公开了一种测量硅化金属阻止区纯电阻及界面电阻的方法，将一个具有4个接线端口的开尔文电阻器结构，作为SAB电阻测试图形结构，多次测量不同版图宽度W的电阻器后得到相应的函数曲线图，根据相应的W值得到对应的纯电阻R_pure阻值和界面电阻R_interface阻值。

主权项

1.一种测量硅化金属阻止区纯电阻的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)形成一个具有4个接线端口的开尔文电阻器结构，作为SAB电阻测试图形结构；(2)在电阻器的接线端口1处施加电压Vforce1，接线端口4为接地端，使得在接线端口1和接线端口4之间产生电流Iforce；(3)测量接线端口2和接线端口3的感应电压Vsense1和Vsense2，得到接线端口2和接线端口3之间的纯电阻Rpure的阻值，其中，$R_{\mathrm{pure}}=\frac{\mathrm{Vsense}1-\mathrm{Vsense}2}{\mathrm{Iforce}};$ (4)根据公式$R_{\mathrm{pure}}=\frac{\mathrm{Rsh}*L}{W-\mathrm{deltaW}}$可得到Rsh的值，其中，Rsh是方块电阻，L是接线端口2和接线端口3之间的长度，W是版图宽度，deltaW为硅片基于工艺的宽度误差；(5)根据确定Rsh、deltaW值，至少测量2个以上具有不同版图宽度W的电阻器，可得到一个L/Rpure相对于W的函数曲线图，从函数曲线图可快速获得不同版图宽度W情况下的纯电阻Rpure的阻值。