[发明专利]瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺无效
| 申请号： | 200610047089.2 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101096316A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 尹孝辉;李美栓;周延春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷连接技术，具体为一种三元层状陶瓷Ti3SiC2瞬间液相扩散连接新工艺。该工艺的特点是界面生成耐高温的Ti3Si(Al)C2固溶体，无脆性相生成，解决了三元层状陶瓷Ti3SiC2连接质量不高的技术问题。在待焊三元层状陶瓷Ti3SiC2之间加入铝箔，其厚度在50-100μm之间，将试件置于热压炉内，通氩气保护。首先在600-650℃、压力为10-20MPa下恒压保温10-30min，然后以10-15℃/min的加热速率升温，焊接温度为1400-1500℃、焊接压力为2-5MPa、焊接时间90-180min。利用本发明提供的方法得到的扩散焊接接头，界面没有新的反应相生成，避免新的脆性相对接头强度的影响，接头弯曲强度可达到Ti3SiC2陶瓷强度的65％，而且此强度可保持到1000℃，可以满足实际应用的需要，扩大了Ti3SiC2陶瓷的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬间 扩散 连接 三元 层状 陶瓷 钛硅化碳 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺，其特征在于包括下述工艺步骤：(1)以铝箔为中间层，上下两层为Ti3SiC2陶瓷，在热压炉内、氩气保护下，在600-650℃、压力为10-20MPa下恒压保温10-30min，确保铝箔与Ti3SiC2 紧密接触；(2)在温度为1400-1500℃、压力为2-5MPa下恒压保温90-180min，连接Ti3SiC2陶瓷；(3)随炉冷却至1200-1300℃后卸载。
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